Samsung’un yeni flaş depolama cihazlarının günümüzün kurumsal bilişim ortamının büyüyen depolama gereksinimini karşılamada küresel BT sektörüne önemli katkılarda bulunması bekleniyor. Bu çözümler, büyük miktarlarda veri depolama ve son derece hızlı bilgi işleme gücü sunmanın yanı sıra veri merkezlerinin toplam sahip olma maliyetlerini (TCO) de düşürecek.
Samsung’un 4. Nesil V-NAND, Önceki Nesilden Yüzde 30 Daha Fazlasını Depoluyor
Samsung; NAND ölçeklendirme, performans ve depolama kapasitesi sınırlarını zorlayan 4. nesil, 64 katmanlı üç seviye hücreli V-NAND flaş belleğini tanıttı. 64 hücre dizi katmanı depolayan yeni V-NAND, tek kalıp yoğunluğunu sektörde benzersiz 512Gb ve IO hızını 800Mbps’ye yükseltebilir. Bu da Samsung’un üç boyutlu NAND hücre yapısı tasarımı ve üretiminde teknoloji liderliğini daha da güçlendiriyor.

Bu yılın dördüncü çeyreğinde de Samsung, tüketicilere tepki hızı daha yüksek bir çözüm sunarken üreticilerin daha hızlı, daha şık ve taşınabilir bilişim cihazları üretmesine yardımcı olacak dünyanın ilk 4. nesil V-NAND flaş bellek ürünlerini sunmayı planlıyor.
Dünyanın En Geniş Kapasiteli Sürücüsü – 32TB SAS SSD – Kurumsal Depolama Sistemleri için
Samsung’un en yeni Seri Eklemeli SCSI (SAS) SSD’si, 512-gigabayt (Gb) V-NAND çiplerine dayalı olarak bugüne kadar piyasaya sürülmüş dünyanın en büyük tek sürücüsü. 1 terabaytlık (TB) bir paket oluşturmak için 16 katmana toplamda 512 V-NAND çipi istiflendi ve 32 terabayt (TB) SSD de bu paketlerden 32 tane içeriyor.
Yeni 4. nesil V-NAND tasarımını benimseyen 32TB SAS SSD, iki sabit disk sürücüsü (HDDler) rafı kullanan aynı türde sisteme kıyasla 40 kata kadar sistem alan gerekliliklerini azaltabilir. 32TB SAS SSD, 2-5 inç form faktöründe gelecek ve 2017’de üretilecek. Samsung, aynı zamanda 100TB’den fazla depolama kapasitesine sahip SSDlerin V-NAND teknolojisinin sürekli iyileşmesi sayesinde 2020’ye kadar piyasaya sürülmesine çalışıyor.
Tek BGA Paketinde 1TB Bellek
Samsung 1TB BGA SSD, üç katmanlı hücre V-NAND flaş çipleri, LPDDR4 mobil RAM ve gelişmiş Samsung kontrol birimi dahil tüm temel SSD bileşenlerini içeren son derece kompakt paket tasarımına sahip.
1500 MB/s’de sıralı olarak okuma ve 900MB/s’de sıralı olarak yazma yeteneği ile önceden görülmemiş bir performans sunacak. Önceki nesline göre boyutu yüzde 50’ye kadar düşen SSD, sadece yaklaşık bir gram ağırlığında ki bu da onu yeni nesil ultra kompakt dizüstü bilgisayarlar, tabletler ve değiştirilebilirler için ideal kılıyor.
Önümüzdeki yıl Samsung, Samsung Electronics’in Samsung Electro-Mechanics ile birlikte geliştirdiği “FO-PLP (Çıkış Yelpazesi Panel Seviyesi Ambalajlama)” adı verilen yüksek yoğunluklu bir ambalajlama teknolojisi benimseyerek 1TB BGA SSD’sini tanıtmayı planlıyor.
Yeni ‘Z-SSD’, Şu Anki NAND Flaş Bellek Depolarının Performans Sınırlarında Çığır Açıyor
Samsung, aynı zamanda yüksek performanslı, ultra düşük gecikmeli bir SSD çözümü geliştirdi: Z-SSD. Samsung’un Z-SSD’si, V-NAND’ın temel yapısını paylaşır ve de NVMe SSD’den dört kata kadar daha hızlı gecikme ve 1,6 kat daha iyi sıralı okuma ile performansı maksimuma çıkarabilecek benzersiz bir devre tasarımına ve kontrol birimine sahiptir.
Z-SSD, son derece yoğun gerçek zamanlı analiz ile uğraşan sistemlerde kullanılacak ve de her tür iş yükü için yüksek performans getirecektir. Önümüzdeki yıl piyasaya sürülmesi bekleniyor.

İBB yasal düzenlemelere uygun hareket etmiyor